TSM3N90CI C0G

Numărul de produs al producătorului:

TSM3N90CI C0G

Product Overview

Producător:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

TSM3N90CI C0G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventar:

RFQ Online

12897881

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

TSM3N90CI C0G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Taiwan Semiconductor

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

900 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.1Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

748 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

94W (Tc)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

ITO-220AB

Pachet / Carcasă

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Numărul de bază al produsului

TSM3N90

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

TSM3N90CI C0G-DG

TSM3N90CIC0G

Pachet standard

2,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

taiwan-semiconductor

TSM4806CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM2N7002KCX RFG

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CI C0G

MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB

taiwan-semiconductor

TSM2N60SCW RPG

MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223